Антава

IXYS

Транзистор IXFK320N17T2

IXFK320N17T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
170 V
Drain current
320 A
Power dissipation
1.67 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFK320N17T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage170 V
Drain current320 A
Power dissipation1.67 kW
КорпусTO264
On-state resistance5.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge640nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 320A; 1670W; TO264

Документация

Документ производителя