Антава

IXYS

Транзистор IXFK26N120P

IXFK26N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
26 A
Рассеиваемая мощность
960 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFK26N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current26 A
Рассеиваемая мощность960 W
КорпусTO264
On-state resistance0.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge255nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; TO264

Документация

Документ производителя