Антава

IXYS

Транзистор IXFK20N120P

IXFK20N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
20 A
Power dissipation
780 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFK20N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current20 A
Power dissipation780 W
КорпусTO264
On-state resistance570 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge193nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264

Документация

Документ производителя