Антава

IXYS

Транзистор IXFK180N25T

IXFK180N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
180 A
Power dissipation
1390 W
Корпус
TO264

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 17 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%3 388,69 ₽

Сумма · с НДС 22%3 388,69 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 388,69 ₽
от 53 198,74 ₽
от 103 086,67 ₽
от 252 957,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFK180N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current180 A
Power dissipation1390 W
КорпусTO264
On-state resistance12.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge364nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264

Документация

Документ производителя