Антава

IXYS

Транзистор IXFK170N20P

IXFK170N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
170 A
Power dissipation
1.25 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK170N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current170 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264

Документация

Документ производителя