Антава

IXYS

Транзистор IXFK160N30T

IXFK160N30T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
GigaMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
160 A
Power dissipation
1390 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK160N30T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияGigaMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current160 A
Power dissipation1390 W
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge376nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264

Документация

Документ производителя