Антава

IXYS

Транзистор IXFK140N30P

IXFK140N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
140 A
Power dissipation
1.04 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 56 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%5 463,02 ₽

Сумма · с НДС 22%5 463,02 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15 463,02 ₽
от 24 351,93 ₽
от 53 946,35 ₽
от 103 740,74 ₽
от 253 523,80 ₽
от 503 384,21 ₽
от 1003 263,48 ₽
от 5003 084,27 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFK140N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current140 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264

Документация

Документ производителя