Антава

IXYS

Транзистор IXFK120N20P

IXFK120N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
120 A
Power dissipation
714 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFK120N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current120 A
Power dissipation714 W
КорпусTO264
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns

Документация

Документ производителя