Антава

IXYS

Транзистор IXFK102N30P

IXFK102N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
102 A
Power dissipation
700 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK102N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current102 A
Power dissipation700 W
КорпусTO264
On-state resistance33 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge224nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264

Документация

Документ производителя