Антава

IXYS

Транзистор IXFK100N65X2

IXFK100N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
100 A
Power dissipation
1.04 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK100N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current100 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO264
On-state resistance30 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge183nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns

Документация

Документ производителя