Антава

IXYS

Транзистор IXFJ20N85X

IXFJ20N85X
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850 V
Drain current
9.5 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 467,24 ₽

Сумма · с НДС 22%2 467,24 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 467,24 ₽
от 32 205,54 ₽
от 101 954,66 ₽
от 301 756,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFJ20N85X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850 V
Drain current9.5 A
Pulsed drain current50 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусISO247™
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.36 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge63nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time190ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W

Документация

Документ производителя