Антава

IXYS

Транзистор IXFH94N30T

IXFH94N30T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
94 A
Power dissipation
890 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXFH94N30T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current94 A
Power dissipation890 W
КорпусTO247-3
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.19µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time155ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO247-3; 155ns

Документация

Документ производителя