IXYS

Транзистор IXFH90N65X3

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: HiPerFET™, X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 90 A
Pulsed drain current: 150 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXFH90N65X3
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	HiPerFET™, X3-Class
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	90 A
Pulsed drain current	150 A
Power dissipation	960 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	33 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	95nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement
Reverse recovery time	175ns

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 90A; Idm: 150A; 960W

Документация

Документы пока не предоставлены.