IXYS
Транзистор IXFH90N20X3
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HiPerFET™, X3-Class
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 200 V
- Drain current
- 90 A
- Power dissipation
- 390 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%2 286,94 ₽
Сумма · с НДС 22%2 286,94 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 286,94 ₽ | |
| от 3 | 1 694,52 ₽ | |
| от 4 | 1 649,38 ₽ | |
| от 10 | 1 519,61 ₽ | |
| от 15 | 1 470,72 ₽ | |
| от 30 | 1 386,08 ₽ | |
| от 60 | 1 324,02 ₽ | |
| от 120 | 1 278,88 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFH90N20X3 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HiPerFET™, X3-Class |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 200 V |
| Drain current | 90 A |
| Power dissipation | 390 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 12.8 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 78nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Reverse recovery time | 85ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Документация
Документ производителяДокумент производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.