Антава

IXYS

Транзистор IXFH80N65X2-4

IXFH80N65X2-4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
80 A
Power dissipation
890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 28 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 892,06 ₽

Сумма · с НДС 22%3 892,06 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 892,06 ₽
от 23 339,30 ₽
от 52 925,21 ₽
от 102 704,87 ₽
от 302 471,24 ₽
от 602 383,86 ₽
от 1202 300,28 ₽
от 5102 176,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH80N65X2-4
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current80 A
Power dissipation890 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4

Документация

Документ производителя