Антава

IXYS

Транзистор IXFH7N100P

IXFH7N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
7 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH7N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current7 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя