Антава

IXYS

Транзистор IXFH6N120P

IXFH6N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
6 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH6N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current6 A
Power dissipation250 W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3

Документация

Документ производителя