Антава

IXYS

Транзистор IXFH6N120

IXFH6N120
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
6 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 13 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 293,76 ₽

Сумма · с НДС 22%2 293,76 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 293,76 ₽
от 32 141,22 ₽
от 101 830,43 ₽
от 301 702,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH6N120
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current6 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя