Антава

IXYS

Транзистор IXFH6N100F

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
6 A
Power dissipation
180 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH6N100F
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage1 kV
Drain current6 A
Power dissipation180 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance1.9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 6A; 180W; TO247-3; 250ns

Документация

Документы пока не предоставлены.