Антава

IXYS

Транзистор IXFH69N30P

IXFH69N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
69 A
Power dissipation
500 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH69N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current69 A
Power dissipation500 W
КорпусTO247-3
On-state resistance49 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge156nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO247-3; 100ns

Документация

Документ производителя