Антава

IXYS

Транзистор IXFH60N65X2-4

IXFH60N65X2-4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
780 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH60N65X2-4
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current60 A
Рассеиваемая мощность780 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance52 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge108nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4

Документация

Документ производителя