Антава

IXYS

Транзистор IXFH60N60X3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
90 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH60N60X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current60 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation625 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance51 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge51nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time175ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W

Документация

Документы пока не предоставлены.