Антава

IXYS

Транзистор IXFH60N50P3

IXFH60N50P3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
60 A
Power dissipation
1.04 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 155,84 ₽

Сумма · с НДС 22%2 155,84 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 155,84 ₽
от 51 940,06 ₽
от 101 793,64 ₽
от 301 577,86 ₽
от 601 523,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH60N50P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current60 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge96nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3

Документация

Документ производителя