Антава

IXYS

Транзистор IXFH52N30P

IXFH52N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
52 A
Power dissipation
400 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 206 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 969,77 ₽

Сумма · с НДС 22%1 969,77 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 969,77 ₽
от 51 567,08 ₽
от 101 327,74 ₽
от 301 054,22 ₽
от 120953,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH52N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current52 A
Power dissipation400 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance73 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3

Документация

Документ производителя