Антава

IXYS

Транзистор IXFH50N85X

IXFH50N85X
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850 V
Drain current
50 A
Power dissipation
890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH50N85X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850 V
Drain current50 A
Power dissipation890 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.105 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time218ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO247-3

Документация

Документ производителя