Антава

IXYS

Транзистор IXFH34N65X2

IXFH34N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
34 A
Power dissipation
540 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH34N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current34 A
Power dissipation540 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time164ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3

Документация

Документ производителя