Антава

IXYS

Транзистор IXFH34N60X2A

IXFH34N60X2A
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
34A
Pulsed drain current
68A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH34N60X2A
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current34A
Pulsed drain current68A
Power dissipation540W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.1Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time164ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W

Документация

Документ производителя