Антава

IXYS

Транзистор IXFH320N10T2

IXFH320N10T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
320 A
Power dissipation
1 kW
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 280 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%3 578,35 ₽

Сумма · с НДС 22%3 578,35 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 578,35 ₽
от 53 028,85 ₽
от 102 726,90 ₽
от 302 398,70 ₽
от 602 314,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH320N10T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current320 A
Power dissipation1 kW
КорпусTO247-3
On-state resistance3.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge430nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time98ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns

Документация

Документ производителя