Антава

IXYS

Транзистор IXFH30N50P

IXFH30N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, PolarHV™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
30 A
Power dissipation
460 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 231 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 269,89 ₽

Сумма · с НДС 22%2 269,89 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 269,89 ₽
от 32 009,66 ₽
от 51 834,91 ₽
от 101 576,58 ₽
от 301 270,76 ₽
от 601 227,07 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH30N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, PolarHV™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current30 A
Power dissipation460 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3

Документация

Документ производителя