Антава

IXYS

Транзистор IXFH22N50P

IXFH22N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
22 A
Power dissipation
350 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH22N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current22 A
Power dissipation350 W
КорпусTO247-3
On-state resistance0.27 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge50nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO247-3

Документация

Документ производителя