Антава

IXYS

Транзистор IXFH220N20X3

IXFH220N20X3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
220 A
Power dissipation
960 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH220N20X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current220 A
Power dissipation960 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge204nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time116ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO247-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя