Антава

IXYS

Транзистор IXFH220N06T3

IXFH220N06T3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, TrenchT3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
220 A
Power dissipation
440 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH220N06T3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, TrenchT3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current220 A
Power dissipation440 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge136nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time38ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns

Документация

Документ производителя