IXYS
Транзистор IXFH20N80P
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 20 A
- Рассеиваемая мощность
- 500 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 245 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%2 445,75 ₽
Сумма · с НДС 22%2 445,75 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 445,75 ₽ | |
| от 10 | 1 591,05 ₽ | |
| от 30 | 1 393,82 ₽ | |
| от 60 | 1 343,10 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFH20N80P |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 20 A |
| Рассеиваемая мощность | 500 W |
| Корпус | TO247-3 |
| On-state resistance | 0.52 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 86nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.