Антава

IXYS

Транзистор IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
830 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH18N100Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current18 A
Рассеиваемая мощность830 W
КорпусTO247-3
On-state resistance0.66 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3

Документация

Документ производителя