Антава

IXYS

Транзистор IXFH180N20X3

IXFH180N20X3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
180A
Power dissipation
780W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH180N20X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current180A
Power dissipation780W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance7.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge154nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time94ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя