Антава

IXYS

Транзистор IXFH16N80P

IXFH16N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHV™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
16 A
Power dissipation
460 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH16N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHV™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current16 A
Power dissipation460 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3

Документация

Документ производителя