Антава

IXYS

Транзистор IXFH16N50P

IXFH16N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
16 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH16N50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current16 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя