Антава

IXYS

Транзистор IXFH15N100Q3

IXFH15N100Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
15 A
Power dissipation
690 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 190 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%3 428,32 ₽

Сумма · с НДС 22%3 428,32 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 428,32 ₽
от 52 891,94 ₽
от 102 580,61 ₽
от 302 537,48 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH15N100Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Q3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current15 A
Power dissipation690 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.05 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge64nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3

Документация

Документ производителя