Антава

IXYS

Транзистор IXFH15N100P

IXFH15N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
15 A
Рассеиваемая мощность
543 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 242 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 517,28 ₽

Сумма · с НДС 22%2 517,28 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 517,28 ₽
от 32 249,25 ₽
от 101 988,71 ₽
от 301 786,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH15N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current15 A
Рассеиваемая мощность543 W
КорпусTO247-3
On-state resistance760 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge97nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3

Документация

Документ производителя