Антава

IXYS

Транзистор IXFH150N30X3

IXFH150N30X3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
150 A
Power dissipation
890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH150N30X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current150 A
Power dissipation890 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge254nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time167ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя