Антава

IXYS

Транзистор IXFH150N20T

IXFH150N20T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
150 A
Power dissipation
890 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH150N20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current150 A
Power dissipation890 W
КорпусTO247-3
On-state resistance15 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge177nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns

Документация

Документ производителя