Антава

IXYS

Транзистор IXFH150N17T2

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
175 V
Drain current
150 A
Power dissipation
880 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH150N17T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage175 V
Drain current150 A
Power dissipation880 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge233nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 175V; 150A; 880W; TO247-3; 160ns

Документация

Документы пока не предоставлены.