Антава

IXYS

Транзистор IXFH150N15P

IXFH150N15P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
150 A
Power dissipation
714 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH150N15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current150 A
Power dissipation714 W
КорпусTO247-3
On-state resistance13 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.19µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO247-3

Документация

Документ производителя