Антава

IXYS

Транзистор IXFH14N80P

IXFH14N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
14 A
Power dissipation
400 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH14N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current14 A
Power dissipation400 W
КорпусTO247-3
On-state resistance720 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge61nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3

Документация

Документ производителя