IXYS
Транзистор IXFH140N10P
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- HiPerFET™, Polar™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 140 A
- Power dissipation
- 600 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 11 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 494,90 ₽
Сумма · с НДС 22%1 494,90 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 494,90 ₽ | |
| от 3 | 1 344,84 ₽ | |
| от 10 | 1 189,08 ₽ | |
| от 30 | 1 069,41 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFH140N10P |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | HiPerFET™, Polar™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 140 A |
| Power dissipation | 600 W |
| Корпус | TO247-3 |
| On-state resistance | 11 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 155nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.