Антава

IXYS

Транзистор IXFH140N10P

IXFH140N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
140 A
Power dissipation
600 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 11 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 494,90 ₽

Сумма · с НДС 22%1 494,90 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 494,90 ₽
от 31 344,84 ₽
от 101 189,08 ₽
от 301 069,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH140N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current140 A
Power dissipation600 W
КорпусTO247-3
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3

Документация

Документ производителя