IXYS
Транзистор IXFH12N120P
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 12 A
- Power dissipation
- 543 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%3 968,99 ₽
Сумма · с НДС 22%3 968,99 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 3 968,99 ₽ | |
| от 5 | 3 365,34 ₽ | |
| от 10 | 3 033,33 ₽ | |
| от 30 | 2 639,08 ₽ | |
| от 60 | 2 546,64 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFH12N120P |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 12 A |
| Power dissipation | 543 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 103nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.