Антава

IXYS

Транзистор IXFH12N120P

IXFH12N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
12 A
Power dissipation
543 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 968,99 ₽

Сумма · с НДС 22%3 968,99 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 968,99 ₽
от 53 365,34 ₽
от 103 033,33 ₽
от 302 639,08 ₽
от 602 546,64 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH12N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current12 A
Power dissipation543 W
КорпусTO247-3
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge103nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3

Документация

Документ производителя