Антава

IXYS

Транзистор IXFH120N30X3

IXFH120N30X3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
120 A
Power dissipation
735 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH120N30X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current120 A
Power dissipation735 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time145ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3

Документация

Документ производителяДокумент производителя