Антава

IXYS

Транзистор IXFH120N25T

IXFH120N25T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
890 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFH120N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность890 W
КорпусTO247-3
On-state resistance23 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time108ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns

Документация

Документ производителя