Антава

IXYS

Транзистор IXFH120N20P

IXFH120N20P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
120 A
Power dissipation
714 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFH120N20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current120 A
Power dissipation714 W
КорпусTO247-3
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge152nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3

Документация

Документ производителя