Антава

IXYS

Транзистор IXFH120N15P

IXFH120N15P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
120 A
Power dissipation
600 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 207 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 255,62 ₽

Сумма · с НДС 22%2 255,62 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 255,62 ₽
от 51 918,14 ₽
от 101 670,27 ₽
от 201 431,93 ₽
от 301 327,06 ₽
от 1201 176,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFH120N15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current120 A
Power dissipation600 W
КорпусTO247-3
On-state resistance16 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3

Документация

Документ производителя